Асеев Александр Леонидович
Асеев Александр Леонидович
Телефоны
Адрес электронной почты
Академические должности
Должность
Организационная структура
Дата активности
Должность
член бюро отделения
Должность
член бюро отделения
Организационная структура
Телефон
Факс
+7 (383) 363-4280
Должность
член секции
Должность
член регионального отделения
Организационная структура
Телефон
Факс
+7 (383) 333-2766
Должность
советник президента РАН
Дата активности
22 марта 2023 — настоящее время
Профиль
Научные интересы
Изучение атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.
Изучены атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния.
Под руководством и при его непосредственном участии разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприёмных устройств для нового поколения инфракрасной техники.
При его активном участии разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти и элементов силовой электроники.
Являлся вице-президентом РАН, председателем Сибирского отделения РАН, директором Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.
Член Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Микро- и наносистемная техника», «Российские нанотехнологии», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology».
Профессор филиала Кафедры физики полупроводников Томского государственного университета. Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.
Автор и соавтор 200 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.
Награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии.
Место работы и должность
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, главный научный сотрудник аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» ФФ.