Родился 12.07.1932, Иркутск; Умер 04.02.2014, Новосибирск; В 1955 г. окончил Химический факультет Ленинградского государственного университета. В 1961 г. защитил кандидатскую диссертацию «Термодинамические исследования окислов церия», а в 1971 г. - докторскую диссертацию «Некоторые физико-химические аспекты осаждения из газовой фазы». В 1976 г. ему присвоено звание профессора.; Ф.А. Кузнецов - специалист в области материаловедения. Объектом его исследования являются функциональные материалы электронной техники и оптики: разработка процессов синтеза кристаллов, пленок, многокомпонентных структур; моделирование процессов образования материалов, процессов, ответственных за изменение свойств материалов и твердотельных приборов электронной техники в условиях эксплуатации и хранения; материаловедческая информатика. В круг интересов Ф.А. Кузнецова входят также проблемы стабильной энергетики и экологии.; Активно участвует в международной кооперации. Входит в число организаторов долгосрочной программы научно-технического сотрудничества с Индией, является руководителем двух направлений в составе этой программы (электронные материалы и газовые гидраты), возглавляет Лабораторию междисциплинарных проектов СО РАН и университета Тохоку (г. Сендай, Япония), руководит рядом совместных проектов с Академией наук Китая.; Научный путь Ф.А. Кузнецова с 1958 г. связан с Институтом неорганической химии СО АН СССР – затем РАН: аспирант, научный сотрудник, заведующий лабораторией, заместитель директора по научной работе и в 1982 – 2005 гг. директор. С 2005 г. он – советник РАН и заведующий Отделом химии функциональных материалов этого же института.; В течение длительного времени был членом комитета CHEMRAWN Международного союза химиков IUPAC, в настоящее время он - член исполкома Международного комитета по численным данным для науки и техники CODATA.; Ф.А. Кузнецов – автор и соавтор 350 научных работ.; Ф.А. Кузнецов - лауреат Государственной премии СССР.; Ф.А. Кузнецов награжден орденами «Знак почета», «Дружба», «Святого князя Александра Невского».; Председатель - Научный совет по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения (Дирекция); ; Советник РАН - Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН (Дирекция); ; Член Отделения - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (СЕКЦИЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ, ЛОКАЦИОННЫХ, ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ И ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ); ; Член Отделения - Сибирское отделение РАН (Члены отделения); ; Член-корреспондент c 26.12.1984 - Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации; ; Академик c 23.12.1987 - Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база, материалы вычислительной техники)