Латышев Александр Васильевич

Научные интересы

Физика полупроводников, технологии создания элементной базы современной опто- и наноэлектроники, структурная диагностика наноматериалов, высокоразрешающая электронная микроскопия, полупроводниковые системы пониженной размерности, нанотехнологии, использующих методы атомной сборки и наноструктурирования для создания экспериментальных устройств наноэлектроники с целью изучения квантовых эффектов.

Научные публикации

•‎ Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation, A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev, S.I.Stenin, Surface Science, 1989, v.213, p.157-169.
•‎ Reflection Electron Microscopy Study of Structural Transformations on a Clean Silicon Surface in Sublimation, Phase Transition and Epitaxy, A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev, S.I.Stenin, Surface Science, 1990, v.227, p.24-34.
•‎ Magnetic field-induced dissipation-free state in superconducting nanostructures, R. Cordoba, T.I. Baturina, J. Sese, A.Y. Mironov, J.M. De Teresa, M.R. Ibarra, D.A. Nasimov, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev, I. Guillamon, H. Suderow, S. Vieira, M.R. Baklanov, J.J. Palacios, V.M. Vinokur, Nature Communications, 4, 1437, (2013), doi:10.1038/ncomms2437.
•‎ Reflection electron-microscopy study of clean Si(111) surface reconstruction during the (7 x 7) reversible (1 x-1) phase-transition, A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L.Aseev, L.V. Sokolov, S.I.Stenin, Surface Science, 1991, v.254, p.90-96.
•‎ Dynamical step edge stiffness on the Si(111) surface, A.V. Latyshev, H.Minoda, Y.Tanishiro K.Yagi, Physical Review Letters, 1996, v.76, № 1, p.94-97.
•‎ Peculiarities of step bunching on Si(001) surface induced by DC heating, A.V.Latyshev, L.V. Litvin, A.L.Aseev, Applied Surface Science, 1998, v.130-132, p.139-145.
•‎ Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS2 monolayers on Au nanocluster arrays, A.G. Milekhin, M. Rahaman, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn, NANOSCALE, 2018, v. 10, p. 2755-2763.
•‎ Dewetting behavior of Ge layers on SiO2 under annealing, A.A. Shklyaev and A.V. Latyshev, Scientific Reports, 2020, v.10, p. 13759.
•‎ Critical terrace width for two-dimensional nucleation during Si growth on Si(111)-(7x7) surface, D.I.Rogilo, L.I.Fedina, S.S.Kosolobov, B.S.Ranguelov, A.V. Latyshev, Physical Review Letters, 2013, т. 111, №3, стр. 036105.
•‎ Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy, .V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V.Latyshev, Crystal Growth, 274 (2005) 339-346.

Премии и награды

Лауреат Премии Правительства в области образования 2014 года.

Персональные профили исследователя

•‎ Web of Science: А-5227-2016.
•‎ Scopus: 7005151705 7584-4474.
•‎ РИНЦ: 21878.
•‎ ORCID: 0000-0002-4016-593X.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, директор.