Академия

Орликовский Александр Александрович

Орликовский Александр Александрович
академик РАН

Профиль

Родился 12.06.1938, г. Москва; Умер 01.05.2016; Орликовский Александр Александрович, 1938 г.р., выпускник Московского инженерно-физического института (1961 г.), д.т.н. (1982), проф. (1984), в 2000 году избран чл.-корр. РАН, в 2006 году академиком РАН, является автором и соавтором свыше 300 научных трудов, в том числе 2 монографий. В АН работает с 1981 г. с.н.с., зав. лаб. в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН, зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).; Директор - Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (Дирекция); ; Председатель - Перспективные технологии и приборы микро- и наноэлектроники, элементы квантовых компьютеров (Руководящий орган); ; Член Отделения - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (СЕКЦИЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ, ЛОКАЦИОННЫХ, ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ И ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ); ; Член-корреспондент c 26.05.2000 - Отделене информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база, в том числе САПР в микроэлектронике); ; Академик РАН c 25.05.2006 - Отделение информационных технологий и вычислительных систем РАН (инфоромационные системы и элементная база); ; Награды; ; Именная премия, РАН; Премия имени С.А. Лебедева; Награжден 2009 За цикл работ «Технология и приборы кремниевой микро- и наноэлектроники»

Место работы и должность

В период с 1963 по 1980 г.г. внес большой вклад в разработку физических и схемотехнических проблем полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.
Орликовский А.А является одним из основоположников научных исследований в области физических основ технологии кремниевой микро- и наноэлектроники. В этой области созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы момента окончания процессов, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и автоматизированные плазменные установки. Развиваются теоретические и экспериментальные исследования с целью создания твердотельных квантовых компьютеров и транзисторов с длиной канала порядка 10 нм.
А.А.Орликовский является заведующим базовых кафедр в МФТИ и Ярославском госуниверситете (ЯрГУ) им. П.Г. Демидова, научным руководителем ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» (ЯрГУ им. П.Г.Демидова и ФТИАН), главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем оргкомитета регулярной Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE), членом бюро ОНИТ РАН, членом двух Научных советов РАН, двух советов по защитам диссертаций, членом Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию, членом Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук, членом Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах. Является лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850 летия г. Москвы и орденом Дружбы.
Ключевые слова
Физика и технологии микро- и наноэлектроники.