Академия

Басиев Тасолтан Тазретович

Басиев Тасолтан Тазретович
член-корреспондент РАН

Профиль

Т.Т. Басиев - специалист в области создания материалов фотоники. Им впервые создана фторидная лазерная нанокерамика, новые лазерные монокристаллы; созданы твердотельные лазеры с энергией свыше 100 Дж (100 нс), пиковой мощностью более 200 ГВт (500 фс); разработаны новые ВКР кристаллы и ВКР лазеры, превосходящие мировые аналоги; предложено использовать нанокластеры (Nd3+–Fi–)2, (Nd3+–Fi–)4 и (Nd3+–Fi–)6 в кристаллах CaF2, SrF2 и CdF2 в качестве логических элементов с перепутанными квантовыми состояниями для обработки информации; установлен квадрупольный механизм когерентного перепутывания в нанокластерах и ослабленная декогерентизация; разработаны методы нанофотоники РЗ ионов в лазерных кристаллах и стеклах; открыто явление кооперативной “down”конверсии с квантовым выходом 200%; развита теория и показана возможность управлять излучательными характеристиками нанокристаллов, что важно при создании двухфазных лазерных сред.; Т.Т. Басиев в 1972 – 1984 гг. занимался научной деятельностью в Физическом институте им. П.Н. Лебедева АН СССР. С 1984 г. он являлся заведующим Лабораторией лазерной спектроскопии твердого тела Института общей физики (ИОФАН) АН СССР – затем РАН, а с 1999 г. он - заместитель директора Научного центра лазерных материалов и технологий ИОФАН. Он также - научный руководитель Учебно-научного центра ИОФАН-КГТА (Ковровская государственная технологическая академия).; Т.Т. Басиев - член Комиссии РАН по премиям для молодых ученых РФ, Научного совета РАН по спектроскопии атомов и молекул, редколлегий журналов «Optical Materials” и “Квантовая электроника», диссертационного докторского совета. Он избран Erskine Fellow Университета Кантербери (Новая Зеландия) и Fellow Американского Оптического общества; Под руководством Т.Т. Басиева защищено 16 кандидатских и 2 докторских диссертации.; Т.Т. Басиев - автор и соавтор 412 научных работ, из них 36 обзоров, 4 монографий и 28 патентов.; Т.Т. Басиев - лауреат премии Ленинского Комсомола, Международной премии АН СССР-ВАН, премии МАИК НАУКА.; ; Ключевые слова; ; Нанотехнологии.; Технологии и диагностика материалов фотоники.

Место работы и должность

Родился 23.09.1947, Москва
Умер 26.02.2012
В 1972 г. окончил Московский энергетический институт. В 1977 г. защитил кандидатскую диссертацию «Передача электронного возбуждения между редкоземельными ионами в лазерных матрицах», в 1984 г. - докторскую диссертацию «Селективная лазерная спектроскопия активированных кристаллов и стекол». В 1991 г. ему было присвоено звание профессора. В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «Нанотехнологии»).
Член Отделения - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (СЕКЦИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ)
Член-корреспондент c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (нанотехнологии)