Двуреченский Анатолий Васильевич

Специалист по радиационным явлениям, атомной структуре, электронным процессам в полупроводниковых низкоразмерных системах и приборах на их основе.

Родился 10 апреля 1945 года в Барнауле.

Член-корреспондент РАН c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (Секция – Нанотехнологии, Специальность – Наноэлектроника).

В 1968 г. окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». В 1974 г. защитил кандидатскую диссертацию «Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой, между собой и примесью», в 1988 г. защитил докторскую диссертацию «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния». В 1993 г. ему было присвоено звание профессора.

Область научных интересов

Радиационные явления, атомная и электронная структура, электронные процессы в полупроводниковых низкоразмерных системах и приборах на их основе.

Основное направление научных работ

Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками: зарождение и рост нанокристаллов при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков, электронный транспорт и оптические явления, лазерный отжиг, наноприборы. 

С 1968 г. работает в Институте физики полупроводников (ИФП) им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, на должностях стажера-исследователя, младшего, старшего, ведущего научного сотрудника, заведующего Лабораторией неравновесных полупроводниковых систем.
С 2002 г. – заместитель директора по научной работе того же института.

Профессор Кафедры физики полупроводников Новосибирского государственного университета. Среди его учеников 2 доктора и 12 кандидатов наук.

Автор и соавтор 287 научных работ, из них 5 монографий, 10 авторских свидетельств и 4 патентов.

Основные научные результаты

Разработана с сотрудниками технология нового класса полупроводниковых структур с нанокристаллами германия в кремнии (двухмерные и трехмерные ансамбли квантовых точек) на основе исследованных морфологических изменений поверхности при росте из молекулярных, ионно-молекулярных пучков и последующего лазерного отжига
разработаны методы, обеспечивающие повышение однородности ансамбля квантовых точек по размерам. 

В этом направлении выполнены пионерские работы по созданию класса полупроводниковых структур с нанокристаллами германия в кремнии (двухмерные и трехмерные ансамбли квантовых точек). Выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты, установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний, обнаружен и изучен ряд новых парамагнитных центров, разработаны и созданы важные для развития элементной базы наноэлектроники новые конструкции приборов.

На основе полученных фундаментальных результатов разработаны и созданы новые конструкции фотоприемников, элементов памяти, созданы одноэлектронные транзисторы, резонансно-туннельные диоды на кремниевых структурах с квантовыми точками.

Член бюро Научного совета по радиационной физике твердого тела РАН, Научных советов по физике полупроводников и физико-химическим основам полупроводникового материаловедения РАН, редколлегии журнала «Известия вузов, материалы электронной техники», заместитель председателя докторского диссертационного совета при ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН.

Премии и награды

•‎ Государственная премия СССР.
•‎ Международная премия АН СССР и Академии наук ГДР.
•‎ Премия Правительства РФ.

Место работы и должность

ФГБУН Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, заведующий лабораторией.