Копьев Петр Сергеевич
Копьев Петр Сергеевич
![Копьев Петр Сергеевич](/upload/medialibrary/1cd/fzbfhay4jnypsto0hirga6yh2omsfelc.jpg)
Телефоны
Адрес электронной почты
Академические должности
Должность
Организационная структура
Дата активности
Должность
член отделения
Должность
член секции
Должность
член регионального отделения
Дата активности
19 сентября 2023 — настоящее время
Профиль
Научные интересы
Физика и технология полупроводниковых наногетероструктур.
Создание и исследование оптоэлектронных приборов на основе полупроводниковых наногетероструктур.
Научные публикации
• Молекулярно-пучковая эпитаксия соединений А3В5 и гетероструктур на их основе ФТП, т.22, вып.10, 1729- 1742,1988. П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов.
• SCH lasers using short period superlattices Surf. Sci., v.228, 1990, P.S.Kop’ev
• Low threshold, large T0 injection laser emission from (InGa)As quantum dots, Electron. Lett., v.30, No17 1994, 1416-1417, N.Kirstaedter, N.N.Ledentsov, M.Grundmann,P.S.Kop’ev D.Bimberg, S.S.Ruvimov и др., всего 11 чел.
• Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots. Phys. Rev. Lett., v.74, No20, 1995, 4043-4046, M.Grundmann, J.Christen, P.S.Kop’ev N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, J.Bohrer и др., всего 14 чел.
• Формирование вертикально совмещенных массивов напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs(100), ФТП т.30, вып. 9 ,1996, 1682-1690, А.Е.Жуков, А.Ю.Егоров, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов, М.В.Максимов, А.Ф.Цацульников и др., всего 9 чел.
• Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N, УФН, т. 179, 9, 2009, Шубина,ТВ; Иванов,СВ; Торопов,АА; Копьев,ПС
• Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений AIIBVI для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой ФТП, т.49, 3, 2015 Сорокин,СВ; Гронин,СВ; Седова,ИВ; Рахлин,МВ; Байдакова,МВ; Копьев,ПС; Вайнилович,АГ; Луценко,ЕВ; Яблонский,ГП; Гамов,НА; Жданова,ЕВ; Зверев,ММ; Рувимов,СС; Иванов,СВ
• Ultrabroad tuning range (100 nm) of external-cavity continuous-wave high-power semiconductor lasers based on a single InGaAs quantum well, 2019, Appl. Optics, v.58, 33 pp: 9089-9093 Podoskin,A; Golovin,V; Gavrina,P; Veselov,D; Zolotarev,V; Shamakhov,V; Nikolaev,D; Leshko,A; Slipchenko,S; Pikhtin,N; Kop`ev,P
• Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах, 2021 Квант. электрон., т.51, 2, Гаврина,ПС; Подоскин,АА; Фомин,ЕВ; Веселов,ДА; Шамахов,ВВ; Слипченко,СО; Пихтин,НА; Копьев,ПС
• Tunnel-Coupled Laser Diode Microarray as a kW-Level 100-ns Pulsed Optical Power Source (lambda=910 nm), 2022, IEEE Photonics Technol. Lett., v.34, 1 pp: 35-38,Slipchenko,SO; Podoskin,AA; Veselov,DA; Strelets,VA; Rudova,NA; Pikhtin,NA; Bagaev,TA; Ladugin,MA; Marmalyuk,AA; Kop`ev,PS
Премии и награды
• Премия Ленинского комсомола, 1976 год.
• Орден Почёта, 1999 год.
• Государственная премия РФ в области науки и техники, 2001 год.
• Орден Дружбы, 2010 год.
• Почётное звание «Почётный работник науки и высоких технологий Российской Федерации», 2021 год.
Место работы и должность
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, главный научный сотрудник.