Академия

Копьев Петр Сергеевич

Копьев Петр Сергеевич
член-корреспондент РАН профессор доктор физико-математических наук

Телефоны

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

член отделения

Организационная структура

Должность

член секции

Организационная структура

Должность

член регионального отделения

Организационная структура

Дата активности

19 сентября 2023 — настоящее время

Профиль

Научные интересы

Физика и технология полупроводниковых наногетероструктур. 

Создание и исследование оптоэлектронных приборов на основе полупроводниковых наногетероструктур.

Научные публикации

•‎ Молекулярно-пучковая эпитаксия соединений А3В5 и гетероструктур на их основе ФТП, т.22, вып.10, 1729- 1742,1988. П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов.
•‎ SCH lasers using short period superlattices Surf. Sci., v.228, 1990, P.S.Kop’ev
•‎ Low threshold, large T0 injection laser emission from (InGa)As quantum dots, Electron. Lett., v.30, No17 1994, 1416-1417, N.Kirstaedter, N.N.Ledentsov, M.Grundmann,P.S.Kop’ev D.Bimberg, S.S.Ruvimov и др., всего 11 чел.
•‎ Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots. Phys. Rev. Lett., v.74, No20, 1995, 4043-4046, M.Grundmann, J.Christen, P.S.Kop’ev N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, J.Bohrer и др., всего 14 чел.
•‎ Формирование вертикально совмещенных массивов напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs(100), ФТП т.30, вып. 9 ,1996, 1682-1690, А.Е.Жуков, А.Ю.Егоров, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов, М.В.Максимов, А.Ф.Цацульников и др., всего 9 чел.
•‎ Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N, УФН, т. 179, 9, 2009, Шубина,ТВ; Иванов,СВ; Торопов,АА; Копьев,ПС
•‎ Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений AIIBVI для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой ФТП, т.49, 3, 2015 Сорокин,СВ; Гронин,СВ; Седова,ИВ; Рахлин,МВ; Байдакова,МВ; Копьев,ПС; Вайнилович,АГ; Луценко,ЕВ; Яблонский,ГП; Гамов,НА; Жданова,ЕВ; Зверев,ММ; Рувимов,СС; Иванов,СВ
•‎ Ultrabroad tuning range (100 nm) of external-cavity continuous-wave high-power semiconductor lasers based on a single InGaAs quantum well, 2019, Appl. Optics, v.58, 33 pp: 9089-9093 Podoskin,A; Golovin,V; Gavrina,P; Veselov,D; Zolotarev,V; Shamakhov,V; Nikolaev,D; Leshko,A; Slipchenko,S; Pikhtin,N; Kop`ev,P
•‎ Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах, 2021 Квант. электрон., т.51, 2, Гаврина,ПС; Подоскин,АА; Фомин,ЕВ; Веселов,ДА; Шамахов,ВВ; Слипченко,СО; Пихтин,НА; Копьев,ПС
•‎ Tunnel-Coupled Laser Diode Microarray as a kW-Level 100-ns Pulsed Optical Power Source (lambda=910 nm), 2022, IEEE Photonics Technol. Lett., v.34, 1 pp: 35-38,Slipchenko,SO; Podoskin,AA; Veselov,DA; Strelets,VA; Rudova,NA; Pikhtin,NA; Bagaev,TA; Ladugin,MA; Marmalyuk,AA; Kop`ev,PS

Премии и награды

•‎ Премия Ленинского комсомола, 1976 год.
•‎ Орден Почёта, 1999 год.
•‎ Государственная премия РФ в области науки и техники, 2001 год.
•‎ Орден Дружбы, 2010 год.
•‎ Почётное звание «Почётный работник науки и высоких технологий Российской Федерации», 2021 год.

Место работы и должность

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, главный научный сотрудник.