Специалист в области физики полупроводниковых наноструктур и наноэлектроники, автор более 450 научных работ, 5 авторских свидетельств.

Родился 2 ноября 1947 года.

Член-корреспондент РАН c 28.10.2016.

Основные научные результаты

Разработано новое научное направление – кремниевая нанооптоэлектроника.

Созданы гибридные лазеры на основе А3В5/SiGe/Si, А3В5/Ge гетероструктур, микроволноводы и микрорезонаторы для оптических межсоединений в процессорах.

Созданы светоизлучающие и фотоприемные диоды, элементы электрооптической памяти на основе SiGe/Si и Si:Er/Si наноструктур. 

Создан германиевый полупроводниковый мазер NEMAG с широко перестраиваемой магнитным полем частотой генерации в субтерагерцовом диапазоне.

Руководитель ведущей научной школы РФ «Фундаментальные научные проблемы развития кремниевой оптоэлектроники и освоения терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур», заведующий кафедрой физики наноструктур и наноэлектроники ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Член бюро ОФН РАН, член Научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегий журналов «Успехи физических наук», «Физика и техников полупроводников», член ряда ученых и специализированных советов, сопредседатель ежегодных международных симпозиумов «Нанофизика и наноэлектроника», организатор ряда других российских и международных конференций.

Лауреат Государственной премии СССР.