Лукичев Владимир Федорович

Специалист в области элементной базы вычислительных и телекоммуникационных систем.

Научные интересы

Фундаментальные основы атомно-точных технологий, в частности, атомно-слоевого осаждения, атомно-слоевого травления, создания супер мелко залегающих p-n-переходов в полупроводниках.

Создание и описание структур с 7-нм поперечными размерами для генерации ТГц излучения, структур с двойными квантовыми точками в канале нанотранзистора для квантовых регистров, также МЭМС и НЭМС структуры для навигационных систем.

Научные публикации

• Куприянов М.Ю. Температурная зависимость критического тока сверхпроводников. Куприянов М.Ю., Лукичев В.Ф. ФНТ, 1980, т. 6, № 4, с. 445–453.
• Куприянов М.Ю. Влияние эффективного взаимодействия электронов на критический ток джозефсоновских слабых связей. Куприянов М.Ю., Лихарев К.К., Лукичев В.Ф. ЖЭТФ, 1982, т. 83, вып. 7, с. 431–441.
• Куприянов М.Ю. Влияние прозрачности границ на критический ток «грязных» SS’S структур. Куприянов М.Ю., Лукичев В.Ф. ЖЭТФ, 1988, т. 94, вып. 6, с. 139–149.
• Lukichev V.F. Experimental study and computer simulation of aspect ratio dependent effeсts observed in silicon reactive ion etching Lukichev V.F., Rudenko K.V., Fischer D., Voges E., Yunkin V.A. Microelectronic Engineering. 1996. Т. 30. № 1–4. С. 345–348.
• Lukichev V.F. A New approach to aspect ratio independent etching Microelectronic Engineering. 1998. Т. 41–42. С. 423–426.
• Lukichev V.F. Etch Rate Scaling and Profile Similarity upon Plasmochemical Etching Lukichev V.F., Yunkin V.A. Russian Microelectronics. 1998. Т. 27. № 3. С. 194–203.
• V’yurkov V. V. , S. D. Ananiev, and V. F. Lukichev. Strong Influence of Surface Scattering on the Electron Transport through Magnetic Multilayers. Russian Microelectronics, 2005, V. 34, P. 339–343 (2005). DOI: 10.1007/s11180-006-0001-7.
• Shumilov, A.S. Simulating the chlorine plasma etching profile of high-aspect-ratio trenches in Si Shumilov A.S., Amirov I.I., Luckichev V.F. Russian Microelectronics. 2017. Т. 46. № 5. С. 301–308. DOI: 10.1134/S1063739717050092.
• Asadov, S.M. Charge Transport in Layer Gallium Monosulfide in Direct and Alternate Electric Fields Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N., Lukichev, V.F. Russian Microelectronics. V. 48 (6), 2019, pp. 422–427. DOI: 10.1134/S1063739719660016.
• Uvarov I.V. Calculation of Performance of MEMS-Switch with Increased Capacitance Ratio Uvarov I.V., Marukhin N.V., Shlepakov P.S., Lukichev V.F. Russian Microelectronics, v. 49, pages 253–262 (2020). DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739720040113.

Премии и награды

Медаль «850-летие Москвы», 1997 г.

Персональные профили исследователя

• Web of Science: R-6429-2016.
• Scopus: 6603602322.
• РИНЦ: 35827.
• ORCID: 0000-0003-3282-8374.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К. А. Валиева Российской академии наук, директор.