Устинов Виктор Михайлович
Устинов Виктор Михайлович
Академические должности
Должность
Организационная структура
Дата активности
Должность
член отделения
Должность
член секции
Должность
член президиума регионального отделения
Дата активности
24 октября 2023 — настоящее время
Должность
заместитель председателя
Организационная структура
Должности в журналах
Должность
Журнал
Дата активности
Должность
главный редактор
Дата активности
10 марта 2020 — настоящее время
Профиль
Специалист в области физики и технологии полупроводниковых гетероструктур.
Родился 1 июля 1958 года в Ленинграде.
В 1981 г. окончил Факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова (Ленина), затем занимался научной деятельностью в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) АН СССР – затем РАН (г. Санкт-Петербург).
В 1986 г. защитил кандидатскую диссертацию «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии», в 1999 г. защитил докторскую диссертацию «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)».
В 2006 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук РАН
Член-корреспондент РАН c 25.05.2006 – Отделение физических наук РАН (специальность – «физика»).
Сфера научной деятельности
Разработка технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками.
Исследование физических свойств полупроводниковых гетероструктур с квантово-размерными эффектами.
Разработка технологии синтеза и исследование свойств полупроводниковых гетероструктур для приборов СВЧ электроники.
С 1999 г. является ведущим научным сотрудником Лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, а с 2004 г. по 2008 г. – заместителем председателя по науке Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН.
Является членом Ученых советов ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, докторского диссертационного совета при Институте аналитического приборостроения РАН, редакционной коллегии журнала «Журнал технической физики».
Является профессором Кафедры физики и технологии наноструктур Академического физико-технологического университета РАН. Под его руководством защищено 4 кандидатских диссертации. Автор и соавтор более 500 научных работ, из них 1 монографии и 2 патентов РФ.
Премии и награды
Государственная премия РФ.
Место работы и должность
ФГБУН Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, директор.