Академия

Устинов Виктор Михайлович

Устинов Виктор Михайлович
член-корреспондент РАН

Телефоны

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

член отделения

Должность

член секции

Организационная структура

Должность

член президиума регионального отделения

Организационная структура

Дата активности

24 октября 2023 — настоящее время

Должности в журналах

Должность

Журнал

Дата активности

Должность

главный редактор

Письма в Журнал технической физики

Дата активности

10 марта 2020 — настоящее время

Профиль

Специалист в области физики и технологии полупроводниковых гетероструктур.

Родился 1 июля 1958 года в Ленинграде.

В 1981 г. окончил Факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова (Ленина), затем занимался научной деятельностью в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) АН СССР – затем РАН (г. Санкт-Петербург). 

В 1986 г. защитил кандидатскую диссертацию «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии», в 1999 г. защитил докторскую диссертацию «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)». 

В 2006 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук РАН 
Член-корреспондент РАН c 25.05.2006 – Отделение физических наук РАН (специальность – «физика»).

Сфера научной деятельности

Разработка технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками.

Исследование физических свойств полупроводниковых гетероструктур с квантово-размерными эффектами.

Разработка технологии синтеза и исследование свойств полупроводниковых гетероструктур для приборов СВЧ электроники.

С 1999 г. является ведущим научным сотрудником Лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, а с 2004 г. по 2008 г. – заместителем председателя по науке Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН.

Является членом Ученых советов ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, докторского диссертационного совета при Институте аналитического приборостроения РАН, редакционной коллегии журнала «Журнал технической физики».

Является профессором Кафедры физики и технологии наноструктур Академического физико-технологического университета РАН. Под его руководством защищено 4 кандидатских диссертации. Автор и соавтор более 500 научных работ, из них 1 монографии и 2 патентов РФ.

Премии и награды

Государственная премия РФ.

Место работы и должность

ФГБУН Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, директор.