Родился 01.07.1958, Ленинград
В 1981 г. окончил Факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина), затем занимался научной деятельностью в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе (ФТИ) АН СССР – затем РАН (г. Санкт-Петербург). В 1986 г. защитил кандидатскую диссертацию «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии», в 1999 г. защитил докторскую диссертацию «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)». В 2006 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук РАН (специальность «физика»).
Член-корреспондент РАН c 25.05.2006 - Отделение физических наук РАН

Главный редактор c 10.03.2020 - Письма в "Журнал технической физики" РАН (Дирекция)
В.М. Устинов - специалист в области физики и технологии полупроводниковых гетероструктур. Сфера научной деятельности В.М. Устинова: разработка технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками, исследование физических свойств полупроводниковых гетероструктур с квантово-размерными эффектами, разработка технологии синтеза и исследование свойств полупроводниковых гетероструктур для приборов СВЧ электроники.
С 1999 г. В.М. Устинов является ведущим научным сотрудником Лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, а с 2004 г. по 2008 г. – заместителем председателя по науке Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН.
В.М. Устинов является членом Ученых советов ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, докторского диссертационного совета при Институте аналитического приборостроения РАН
редакционной коллегии журнала "Журнал технической физики".
В.М. Устинов является профессором Кафедры физики и технологии наноструктур Академического физико-технологического университета РАН. Под его руководством защищено 4 кандидатских диссертации.
В.М. Устинов - автор и соавтор более 500 научных работ, из них 1 монографии и 2 патентов РФ.
В.М. Устинов - лауреат Государственной премии РФ.

Ключевые слова

Физика и технологии полупроводниковых наногетероструктур.