Академия

Физика и техника полупроводников

О журнале

Учредитель
Российская академия наук , Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Научно-методическое руководство журнала
Главный редактор
ISSN Print
0015-3222


Число выпусков в год
12
Индексация в основных библиографических базах данныx
Общий академический рейтинг RSCI
0,357 (270 из 777)
Тематический академический рейтинг RSCI
1,551 (36 из 59)
Двухлетний импакт-фактор по ядру РИНЦ
Суммарное число цитирований в текущем году статей в журнале и его переводной версии, опубликованных за предыдущие два года, поделенное на число этих статей (в оригинальной версии).
0,979
Пятилетний импакт-фактор по ядру РИНЦ
Число цитирований в текущем году статей, опубликованных в журнале за предыдущие 5 лет, поделенное на число этих статей.
0,804


Сайт журнала
Профиль журнала в РИНЦ
Переводная версия журнала
Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения
Физика и техника полупроводников

Руководство журнала

главный редактор

ФИО и должность
Телефон
Факс
Электронная почта

Контакты

194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН.
Телефон:
Электронная почта