Академия

Иванов Сергей Викторович

Иванов Сергей Викторович
член-корреспондент РАН профессор доктор физико-математических наук

Телефоны

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

член отделения

Организационная структура

Должность

член секции

Организационная структура

Профиль

Научные_интересы:


Один из ведущих экспертов в мире в области технологии молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) (molecular beam epitaxy) полупроводниковых наногетероструктур и исследования их разнообразных физических свойств.

Основные области исследований включают МПЭ технологию, включая ее теоретическое описание, и свойства полупроводниковых эпитаксиальных слоев и низко-размерных наноструктур - квантовых ям, сверхрешеток и квантовых точек - на основе:

- узкозонных соединений А3В5 - (Al,Ga,In)/(As,Sb) – для оптоэлектроники среднего ИК диапазона и HEMT-транзисторов, включая метаморфные гетероструктуры InGaAlAs на подложках GaAs;
- квантовых точек InAs/AlGaAs для источников одиночных и неразличимых фотонов;
- широкозонных соединений А2В6 - (Zn,Cd,Mg)/(S,Se,Te) и ZnO – для фотоники видимого и УФ спектральных диапазонов, включая лазеры с электронно-лучевой и оптической накачкой, источников одиночных фотонов, а также исследования спин-зависимых свойств структур разбавленных магнитных полупроводников;
- гибридных гетероструктур А3В5/А2В6 с гетеровалентными интерфейсами в активной области для спинтроники и оптоэлектроники среднего ИК диапазона;
- А3-нитридов – гетероструктур с КЯ AlGaN/AlN – для оптоэлектронных применений в среднем и глубоком УФ диапазонах, а также фундаментальные исследования селективного роста наноколонн InGaN/AlGaN с КЯ в вертикальном и радиальном направлениях на профилированных подложках.

Персональные профили исследователя


Web_of_Science_ResearcherID: C-1177-2014
Ссылка_Web_of_Science: https://publons.com/researcher/2559117/sergey-v-ivanov/

Scopus_Author_ID: 57197019930
Ссылка_Scopus: https://www.scopus.com/results/results.uri?sort=plf-f&src=s&st1=Ivanov&st2=S...

РИНЦ_Author_ID: 23039
Ссылка_РИНЦ: https://elibrary.ru/author_profile.asp?id=23039


Научные публикации


1. Zh.I. Alferov, A.M. Vasilev, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.E. Lutsenko, B.Ya. Meltser, V.M. Ustinov, Reduction of the threshold current density in GaAs-(Al, Ga)As double heterostructure separate-confinement quantum well laser (Jth=52 Acm-2, 300K) by bounding the quantum well by a short-period variable-step superlattice, Sov. Tech. Phys. Lett. 14, 782-784 (1988).
2. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev and N.N. Ledentsov, Thermodynamic analysis of segregation effects in MBE of AIII-BV compounds, J. Crystal Growth 111, 151-161 (1991).
3. Yu. Vasilyev, S. Suchalkin, K. von Klitzing, B. Meltser, S. Ivanov, P. Kop'ev, Evidence for Electron-Hole Hybridization in Cyclotron-Resonance Spectra of InAs/GaSb Heterostructures, Phys. Rev. B 60 (15), 10636 (1999).
4. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, and Z.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr, CdSe-Fractional-Monolayer Active Region of Molecular Beam Epitaxy Grown Green ZnSe-Based Lasers, Appl. Phys. Lett. 74, 498 (1999).
5. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, R.P. Seisyan, V.V. Emtsev, S.V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmuller, H. Harima, A.V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, J. Graul, Absorption and emission of hexagonal InN. Evidence of narrow fundamental band gap, Phys.Stat.Sol. (b) 229, r1 (2002).
6. S.V. Ivanov, O.G. Lyublinskaya, Yu.B. Vasilyev, V.A. Kaygorodov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, V.A. Solov`ev, B.Ya. Meltser, A.A. Sitnikova, T.V. L`vova, V.L. Berkovits, A.A. Toropov, P.S. Kop`ev, Asymmetric AlAsSb/InAs/CdMgSe quantum wells grown by molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett. 84 (23) 4777-4779 (2004).
7. S.V. Ivanov, T.V. Shubina, T.A. Komissarova, V.N. Jmerik, Metastable nature of InN and In-rich InGaN alloys, J. Cryst. Growth 403, 83-89 (2014).
8. V.N. Jmerik, D.V. Nechaev and S.V. Ivanov, Kinetics of Metal-Rich PA Molecular Beam Epitaxy of AlGaN Heterostructures for Mid-UV Photonics, Book Chapter in: "Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production", edited by M. Henini, 2nd Edition, ©Elsevier Inc., 2018. p. 135-179.
9. S.V. Ivanov, M.Y. Chernov, V.A. Solov`ev, P.N. Brunkov, D.D. Firsov, O.S. Komkov, Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures grown on GaAs for efficient mid-IR emitters. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 65(1), 20-35 (2019).
10. M. Rakhlin, G. Klimko, S. Sorokin, M. Kulagina, Yu. Zadiranov, D. Kazanov, T. Shubina, S. Ivanov, A. Toropov, Bright Single-Photon Sources for the Telecommunication O-Band Based on an InAs Quantum Dot with (In)GaAs Asymmetric Barriers in a Photonic Nanoantenna, Nanomaterials 12, 1562 (2022).

Награды и премии:

Благодарность Президента РАН в связи с 275-летием РАН (1999)
Грамота Президиума РАН (2013)
Премия им. А.Ф. Иоффе от ФТИ им. А.Ф. Иоффе (1999, 2017)
Премия им. Ж.И. Алферова (номинация нанотехнологии) Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского научного центра РАН за выдающиеся научные результаты в области науки и техники (2020)
Медаль «За вклад в реализацию государственной политики в области научно-технологического развития» Минобрнауки России (2021)

Место работы и должность

директор, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук