Физика и техника полупроводников
Учредитель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение «Российская академия наук»
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Научно-методическое руководство журнала
Главный редактор
ISSN Print
0015-3222
Число выпусков в год
12
Индексация в основных библиографических базах данных
Общий академический рейтинг RSCI
0,357 (270 из 777)
Тематический академический рейтинг RSCI
1,551 (36 из 59)
Двухлетний импакт-фактор по ядру РИНЦ
0,979
Пятилетний импакт-фактор по ядру РИНЦ
0,804
Сайт журнала
Профиль журнала в РИНЦ
Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения
Направить статью 
Руководство журнала
главный редактор
Контакты
Адрес : 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН.
Телефон : (812) 297-43-24
Email : semicond@mail.ioffe.ru