Монографии
Монографии
2019
Показаны эколого-биологические особенности бобовых растений, механизмы и размеры симбиотической и ассоциативной азотфиксации и агроэкологическая роль бобовых растений в агроландшафтах. В основе азотфиксации лежит сложный механизм лектин-углеводного взаимодействия растений и микроорганизмов. Размеры симбиотической азотфиксации могут достигать 150–550, ассоциативной – 25–90 кг N/га. Варьирование размеров фиксации азота определяется генотипическими признаками бобовых растений и микросимбионта и действием экологических факторов природного (тип и влажность почвы, температура, кислотность, засоление) и антропогенного характера (использование минеральных и органических удобрений, микроудобрений, применение инокуляции микробными препаратами, воздействие пестицидов, тяжелых металлов, радионуклидов, газов, эрозия почв). В частично загрязненных агроэкосистемах бобовые растения формируют нормативно чистую растениеводческую продукцию.Вместе с тем в их урожае возможно накопление веществ природного происхождения и ряда загрязняющих компонентов (нитраты, тяжелые металлы, остатки пестицидов и радионуклиды).
Монография посвящена анализу современных представлений о ведущей роли митохондрий в сложнейшей системе внутриклеточной и межклеточной сигнализации. Ключевым вопросом является механизм вовлечения митохондриальных ферментов в ответную реакцию на разные режимы гипоксических воздействий, а также их участие в формировании как ранних, так и поздних адаптивных реакций, обеспечивающих сохранение энергосинтезирующей функции дыхательной цепи в широком диапазоне сниженных значений концентрации кислорода и формирование системного ответа организма на дефицит кислорода. При этом рассматриваются следующие вопросы: 1) Какова роль митохондрий и энергетического обмена в клеточном и системном сигналинге, а также в формировании срочной и долговременной адаптации к гипоксии; 2) Каким образом осуществляется сенсорная функция митохондриальной дыхательной цепи по отношению к кислороду; 3) Какова зависимость этих процессов от характера гипоксических воздействий (их силы, длительности, режимных особенностей), каковы оптимальные условия для их формирования, какими функционально-метаболическими параметрами они описываются; какими параметрами диагностируется зона риска; 4) Каковы молекулярные механизмы тканеспецифических особенностей реагирования на гипоксию индивидуумов с различной толерантностью к ней; 5) Каковы механизмы взаимодействия митохондрий с другими сигнальными системами при формировании срочной и долговременной адаптации; 6) Каковы подходы создания таргетных антигипоксических, энерготропных средств, ускоряющих и облегчающих формирование срочных и долгосрочных механизмов адаптации к гипоксии.
Монография может представлять интерес для широкого круга специалистов – биологов и медиков, занимающихся проблемами кислород-дефицитных состояний.
2018
В коллективной монографии излагаются физические процессы и механизмы, приводящие к снижению эффективности преобразования неэлектрических величин в электрический ток. Изучается природа возрастания обратных токов р-п-переходов и диодов Шоттки, связанная с образованием рекомбинационных центров в областях пространственного заряда этих приборов. Разработана модель переноса носителей заряда, которая объединяет и обобщает известные механизмы формирования обратных токов, а именно диффузионный, прыжковый и туннельный, а также формулирует критерии преобладания конкретного механизма. В работе рассчитана вероятность электронных переходов с учетом электрон-фононного взаимодействия, которая объясняет быстрое нарастание обратных токов с ростом приложенного напряжения. В монографии развиваются методики определения параметров рекомбинационных центров и электрон-фононного взаимодействия, рассчитываются обратные токи и эффективность преобразователей. На конкретных примерах показаны причины снижения эффективности приемников рентгеновского излучения, ядерных батареек, регистраторов частиц высоких энергий.
Книга содержит материалы как обучающего, так и научного характера. Она будет полезна ученым и инженерам, работающим в полупроводниковой отрасли, а также студентам и аспирантам, обучающимся в этом направлении.