Сегодня день рождения отмечает президент Российской академии наук Геннадий Красников.

Академик Геннадий Красников – авторитетный учёный и организатор науки. Лауреат Государственной премии Российской Федерации, трёх премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники, Геннадий Красников выступил автором более 460 научных работ, 8 научных монографий, свыше 50 авторских свидетельств и патентов. При его участии в России удалось наладить разработку и промышленное производство микросхем для телекоммуникации, медицины, космической и авиационной техники, банковской системы, обороны страны, других важнейших сфер жизни.

Сегодня под руководством Геннадия Красникова ведётся масштабная работа по укреплению научно-технологического суверенитета России и усилению экспертной функции Российской академии наук. 

Поздравляем Геннадия Яковлевича, желаем ему сил, неиссякаемой энергии и новых свершений во благо российской науки и нашей страны!

Геннадий Яковлевич Красников родился 30 апреля 1958 года. В 1981 году с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники. Инженер-физик. В 1981 году пришел на работу в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ), в 1991 году был назначен директором НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон». С 2016 года генеральный директор АО «НИИМЭ».

В 1997 году Г. Я. Красников был избран член-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации. В 2008 году избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН. С 2019 по 2022 год – академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН. В 2021 году избран иностранным членом Национальной академии наук Беларуси.

В 2022 году избран президентом Российской академии наук.

Г. Я. Красников – ученый в области физики полупроводников, диэлектриков, гетероструктур и полупроводниковых приборов. Основными направлениями научной деятельности Г. Я. Красникова являются исследования в области физики транзисторных структур.

Г. Я. Красниковым выполнен цикл теоретических и экспериментальных исследований структурно-примесных комплексов и переноса заряда в системе Si-SiO₂. Он внёс существенный вклад в исследования по выявлению закономерностей поведения фоновых примесей на границах раздела системы «металл – оксид кремния – кремний», энергии локализации ловушек для электронов и дырок в функциональных слоях полупроводниковых структур. Им впервые, с позиции единой научной концепции, основанной на анализе структурно – примесных дефектов системы Si-SiO₂, дана классификация различных дефектов, образующихся в этой системе в процессе ее формирования, выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела гетерогенных областей систем кремний – диоксид кремния – металл, рассмотрены электрические свойства этих структур, и предложены методы их стабилизации на заданном уровне.

Результаты исследований определили принципы и методологию физико-технологического обеспечения качества сверхбольших интегральных схем.

Г. Я. Красниковым созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, что привело к существенному совершенствованию микроэлектронных технологий.

Значительным научным вкладом академика Г. Я. Красникова является обоснование конструктивно-технологических особенностей транзисторных структур при переходе в субмикронные размеры элементов. Им впервые установлены требования к подзатворным диэлектрикам, определяющим электрофизические параметры и качество МОП-транзисторов, технологии их создания, предложены различные конструкции их сток-истоковых областей с учётом постоянного уменьшения размеров транзисторов и их элементов, обоснованы ограничения применения методов масштабирования транзисторов.

Предложенные Г. Я. Красниковым принципы формирования кремниевых транзисторных структур, были также впервые использованы для создания ИС КМОП на арсениде галлия (GaAs).Эти интегральные микросхемы отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. За счет увеличения тактовой частоты в 5-8 раз повышается точность первичной обработки информации, при этом время обработки сигналов уменьшается в 2-3 раза.

Г. Я. Красников внес существенный вклад в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Комплексно решена проблема создания и внедрения в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники наиболее критичных по стойкости к радиационному воздействию больших интегральных схем. При этом охвачены научно-технические особенности разработки, технологии, производства, испытаний и эксплуатации. Существенное повышение радиационной стойкости интегральных схем достигнуто применением специальных технологий «кремний-на-изоляторе» и методов проектирования с использованием технологий «объемного кремния». По ключевым факторам уровень радиационной стойкости превышает мировой уровень микросхем данного класса.

В результате решена важнейшая для национальной безопасности задача создания современной бортовой аппаратуры ракетно-космического назначения, обеспечена технологическая независимость РФ и внесен серьезный вклад в достижение требуемых характеристик современных стратегических ракетных комплексов и нового поколения космических аппаратов.

Для формирования научной и технологической базы нового этапа развития приборов микроэлектроники в планарном и 3D исполнении, сверхбыстродействующих приборов радиофотоники, изделий многофункциональной электроники, базирующихся на новых сочетаниях физических эффектов, Г. Я. Красниковым создаются тонкие пленки метаматериалов с управляемыми свойствами, фотонные и плазмонные элементы, интегрированные в приборный кристалл; изучаются эффекты поведения и стойкости сверхмалых объемов кристаллических материалов к различным видам радиационных воздействий на границе потери ими зонной структуры, когда из-за близости отражающих границ раздела подавлено образование дальних пар Френкеля.

В настоящее время с участием академика Г. Я. Красникова ведутся исследования молекулярного транзистора, работа которого основана на взаимодействии двух физических механизмов, свойственных открытым квантовым системам, действующим согласованно: PT-нарушение симметрии, соответствующее слиянию резонансов в исключительной точке молекулы, связанной с выводами, и антирезонанс Фано-Фешбаха.

Научные результаты Г. Я. Красникова легли в основу создания при его непосредственном руководстве современного уникального комплекса по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65нм, на базе которых реализованы стратегические государственные проекты в области телекоммуникации и связи, транспорта, национальной платежной банковской системы (МИР), выпуска государственных электронных документов.

Разработанные с применением новых методов интегральные схемы позволили решить ряд важнейших для страны задач обеспечения безопасности: комплектование бортовых систем, в том числе для крылатых ракет, наземных вычислительных комплексов систем вооружений. Были освоены в производстве более 200 типов интегральных схем, необходимых для создания оборонной техники, которые выпускались ранее за пределами РФ.

Академик Г. Я. Красников является руководителем приоритетного технологического направления «Электронные технологии» РФ.

Председатель научного Совета РАН «Квантовые технологии».

Председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».

Заведующий кафедрой «Микро и наноэлектроника» Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики в Национальном исследовательском университете «МФТИ»

Заведующий кафедрой «Субмикронные технологии СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ».

Главный редактор журналов “Микроэлектроника” и “Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника”.

Почетный президент научной конференции «Микроэлектроника-ЭКБ»

Председатель программного комитета ежегодного форума «Микроэлектроника».

Сопредседатель международной научной конференции “Микро и наноэлектроника” (The International Conference “Micro and Nanoelectronics” ICMNE).

Член Совета директоров Глобального альянса производителей полупроводников (Global Semiconductor Alliance).

Лауреат Государственной премии Российской Федерации (2014), трех премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники (1999, 2009, 2019).

Награждён орденом «За заслуги перед Отечеством» III степени (2023) «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Александра Невского (2018), орденом Почёта (1999), орденом Дружбы (2014), медалью "В память 850-летия Москвы" (1997).

Награждён медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» (2016).