Академия

Красников Геннадий Яковлевич

Красников Геннадий Яковлевич
академик РАН доктор технических наук

Телефоны

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

президент РАН

Организационная структура

Должность

президент РАН

Организационная структура

Должность

член бюро отделения

Должность

член бюро отделения

Организационная структура

Должность

председатель совета

Должность

председатель совета

Организационная структура

Дата активности

16 мая 2023 — настоящее время

Должность

председатель бюро совета

Организационная структура

Дата активности

16 мая 2023 — настоящее время

Должность

председатель комиссии

Дата активности

22 декабря 2023 — настоящее время

Должности в журналах

Должность

Журнал

Дата активности

Должность

главный редактор

Микроэлектроника

Должность

главный редактор

Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника

Профиль

Избран 20.09.2022 президентом РАН.

Сфера научной деятельности – физика полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем.

Биография

Родился в 1958 году.

В 1981 г. с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники. Инженер-физик.

В 1981 году пришел на работу в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ).

В 1991 году был назначен директором НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон».

Впоследствии – генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель совета директоров ПАО «Микрон» и председатель совета директоров АО «НИИТМ» (НИИ точной механики).

В 1997 году был избран член-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации.

В 2008 году избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий и в настоящее время является академиком-секретарем этого отделения.

Направления исследований

Физика полупроводников, диэлектриков, гетероструктур и полупроводниковых приборов. Автор и соавтор более 460 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, восьми научных монографий и более 50 авторских свидетельств и патентов.

Основными направлениями научной деятельности являются исследования в области физики транзисторных структур.

Выполнил цикл теоретических и экспериментальных исследований структурно-примесных комплексов и переноса заряда в системе Si-SiO2. Он внёс существенный вклад в исследования по выявлению закономерностей поведения фоновых примесей на границах раздела системы «металл – оксид кремния – кремний», энергии локализации ловушек для электронов и дырок в функциональных слоях полупроводниковых структур.

Им впервые, с позиции единой научной концепции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, дана классификация различных дефектов, образующихся в этой системе в процессе ее формирования, выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела гетерогенных областей систем кремний – диоксид кремния – металл, рассмотрены электрические свойства этих структур, и предложены методы их стабилизации на заданном уровне.

Результаты исследований определили принципы и методологию физико-технологического обеспечения качества сверхбольших интегральных схем.

Создал научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, что привело к существенному совершенствованию микроэлектронных технологий.

Его значительным научным вкладом является обоснование конструктивно-технологических особенностей транзисторных структур при переходе в субмикронные размеры элементов. Им впервые установлены требования к подзатворным диэлектрикам, определяющим электрофизические параметры и качество МОП-транзисторов, технологии их создания, предложены различные конструкции их сток-истоковых областей с учётом постоянного уменьшения размеров транзисторов и их элементов, обоснованы ограничения применения методов масштабирования транзисторов.

Предложенные им принципы формирования кремниевых транзисторных структур, были также впервые использованы для создания ИС КМОП на арсениде галлия (GaAs).Эти интегральные микросхемы отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. За счет увеличения тактовой частоты в 5–8 раз повышается точность первичной обработки информации, при этом время обработки сигналов уменьшается в 2–3 раза.

Внес существенный вклад в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Комплексно решена проблема создания и внедрения в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники наиболее критичных по стойкости к радиационному воздействию больших интегральных схем. При этом охвачены научно-технические особенности разработки, технологии, производства, испытаний и эксплуатации. Существенное повышение радиационной стойкости интегральных схем достигнуто применением специальных технологий «кремний-на-изоляторе» и методов проектирования с использованием технологий «объемного кремния». По ключевым факторам уровень радиационной стойкости превышает мировой уровень микросхем данного класса.

В результате решена важнейшая для национальной безопасности задача создания современной бортовой аппаратуры ракетно-космического назначения, обеспечена технологическая независимость РФ и внесен серьезный вклад в достижение требуемых характеристик современных стратегических ракетных комплексов и нового поколения космических аппаратов.

Для формирования научной и технологической базы нового этапа развития приборов микроэлектроники в планарном и 3D исполнении, сверхбыстродействующих приборов радиофотоники, изделий многофункциональной электроники, базирующихся на новых сочетаниях физических эффектов, им созданы тонкие пленки метаматериалов с управляемыми свойствами, фотонные и плазмонные элементы, интегрированные в приборный кристалл; изучаются эффекты поведения и стойкости сверхмалых объемов кристаллических материалов к различным видам радиационных воздействий на границе потери ими зонной структуры, когда из-за близости отражающих границ раздела подавлено образование дальних пар Френкеля.

В настоящее время с его участием ведутся исследования молекулярного транзистора, работа которого основана на взаимодействии двух физических механизмов, свойственных открытым квантовым системам, действующим согласованно: PT-нарушение симметрии, соответствующее слиянию резонансов в исключительной точке молекулы, связанной с выводами, и антирезонанс Фано-Фешбаха.

Его научные результаты легли в основу создания при его непосредственном руководстве современного уникального комплекса по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65нм, на базе которых реализованы стратегические государственные проекты в области телекоммуникации и связи, транспорта, национальной платежной банковской системы (МИР), выпуска государственных электронных документов.

Разработанные с применением новых методов интегральные схемы позволили решить ряд важнейших для страны задач обеспечения безопасности: комплектование бортовых систем, в том числе для крылатых ракет, наземных вычислительных комплексов систем вооружений. Были освоены в производстве более 200 типов интегральных схем, необходимых для создания оборонной техники, которые выпускались ранее за пределами РФ.

  • Руководитель приоритетного технологического направления России «Электронные технологии» (указ Президента РФ № 347 от 20 июля 2016 г.).
  • Председатель научного Совета РАН «Квантовые технологии».
  • Председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».
  • Председатель научного Совета приоритетного технологического направления «Электронные технологии» при НТС ВПК.
  • Заведующий кафедрой «Микро- и наноэлектроника» Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики в Национальном исследовательском университете «МФТИ».
  • Заведующий кафедрой «Субмикронные технологии СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ».
  • Почетный президент международной научной конференции «Микроэлектроника-ЭКБ» (ежегодный международный форум «Микроэлектроника»).
  • Сопредседатель международной научной конференции «Микро и наноэлектроника» (TheInternational Conference “Microand Nanoelectronics” ICMNE).
  • Член Совета директоров Глобального альянса производителей полупроводников (Global Semiconductor Alliance).
  • Награды и премии

    •‎ Звание Почётного профессора Московского университета, 2023 г.
    •‎ Звание Почётного доктора НИЦ «Курчатовский институт» за активное сотрудничество и большой вклад в развитие исследований и разработок в области создания новой электронной компонентной базы, 2023 г.
    •‎ Лауреат Государственной премии Российской Федерации, 2014.
    •‎ Лауреат трёх премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники: 1999, 2009, 2019.
    •‎ Медаль ООН по вопросам образования, науки и культуры (ЮНЕСКО) «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий», 2016.
    •‎ Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени, 2008.
    •‎ Орден Александра Невского, 2018.
    •‎ Орден Почёта, 1999.
    •‎ Орден Дружбы, 2014.
    •‎ Медаль «В память 850-летия Москвы», 1997.

    Место работы и должность

    ФГБУ «Российская академия наук», президент.

    АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», генеральный директор.