Академия

Красников Геннадий Яковлевич

Красников Геннадий Яковлевич
академик РАН доктор технических наук

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

президент РАН

Организационная структура

Факс

+7 (495) 229-7001

Должность

президент РАН

Организационная структура

Должность

член бюро отделения

Должность

член бюро отделения

Организационная структура

Должность

председатель совета

Должность

член комиссии

Организационная структура

Должности в журналах

Должность

Журнал

Дата активности

Должность

главный редактор

Микроэлектроника

Должность

главный редактор

Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника

Профиль

Избран 20.09.2022 президентом РАН.

Сфера научной деятельности – физика полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем.

Биография

Родился в 1958 году.

В 1981 г. с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники. Инженер-физик.

В 1981 году пришел на работу в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ).

В 1991 году был назначен директором НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон».

Впоследствии – генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель совета директоров ПАО «Микрон» и председатель совета директоров АО «НИИТМ» (НИИ точной механики).

В 1997 году был избран член-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации.

В 2008 году избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий и в настоящее время является академиком-секретарем этого отделения.

Направления исследований

Физика полупроводников, диэлектриков, гетероструктур и полупроводниковых приборов. Автор и соавтор более 460 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, восьми научных монографий и более 50 авторских свидетельств и патентов.

Основными направлениями научной деятельности являются исследования в области физики транзисторных структур.

Выполнил цикл теоретических и экспериментальных исследований структурно-примесных комплексов и переноса заряда в системе Si-SiO2. Он внёс существенный вклад в исследования по выявлению закономерностей поведения фоновых примесей на границах раздела системы «металл – оксид кремния – кремний», энергии локализации ловушек для электронов и дырок в функциональных слоях полупроводниковых структур.

Им впервые, с позиции единой научной концепции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, дана классификация различных дефектов, образующихся в этой системе в процессе ее формирования, выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела гетерогенных областей систем кремний – диоксид кремния – металл, рассмотрены электрические свойства этих структур, и предложены методы их стабилизации на заданном уровне.

Результаты исследований определили принципы и методологию физико-технологического обеспечения качества сверхбольших интегральных схем.

Создал научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, что привело к существенному совершенствованию микроэлектронных технологий.

Его значительным научным вкладом является обоснование конструктивно-технологических особенностей транзисторных структур при переходе в субмикронные размеры элементов. Им впервые установлены требования к подзатворным диэлектрикам, определяющим электрофизические параметры и качество МОП-транзисторов, технологии их создания, предложены различные конструкции их сток-истоковых областей с учётом постоянного уменьшения размеров транзисторов и их элементов, обоснованы ограничения применения методов масштабирования транзисторов.

Предложенные им принципы формирования кремниевых транзисторных структур, были также впервые использованы для создания ИС КМОП на арсениде галлия (GaAs).Эти интегральные микросхемы отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. За счет увеличения тактовой частоты в 5–8 раз повышается точность первичной обработки информации, при этом время обработки сигналов уменьшается в 2–3 раза.

Внес существенный вклад в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Комплексно решена проблема создания и внедрения в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники наиболее критичных по стойкости к радиационному воздействию больших интегральных схем. При этом охвачены научно-технические особенности разработки, технологии, производства, испытаний и эксплуатации. Существенное повышение радиационной стойкости интегральных схем достигнуто применением специальных технологий «кремний-на-изоляторе» и методов проектирования с использованием технологий «объемного кремния». По ключевым факторам уровень радиационной стойкости превышает мировой уровень микросхем данного класса.

В результате решена важнейшая для национальной безопасности задача создания современной бортовой аппаратуры ракетно-космического назначения, обеспечена технологическая независимость РФ и внесен серьезный вклад в достижение требуемых характеристик современных стратегических ракетных комплексов и нового поколения космических аппаратов.

Для формирования научной и технологической базы нового этапа развития приборов микроэлектроники в планарном и 3D исполнении, сверхбыстродействующих приборов радиофотоники, изделий многофункциональной электроники, базирующихся на новых сочетаниях физических эффектов, им созданы тонкие пленки метаматериалов с управляемыми свойствами, фотонные и плазмонные элементы, интегрированные в приборный кристалл; изучаются эффекты поведения и стойкости сверхмалых объемов кристаллических материалов к различным видам радиационных воздействий на границе потери ими зонной структуры, когда из-за близости отражающих границ раздела подавлено образование дальних пар Френкеля.

В настоящее время с его участием ведутся исследования молекулярного транзистора, работа которого основана на взаимодействии двух физических механизмов, свойственных открытым квантовым системам, действующим согласованно: PT-нарушение симметрии, соответствующее слиянию резонансов в исключительной точке молекулы, связанной с выводами, и антирезонанс Фано-Фешбаха.

Его научные результаты легли в основу создания при его непосредственном руководстве современного уникального комплекса по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65нм, на базе которых реализованы стратегические государственные проекты в области телекоммуникации и связи, транспорта, национальной платежной банковской системы (МИР), выпуска государственных электронных документов.

Разработанные с применением новых методов интегральные схемы позволили решить ряд важнейших для страны задач обеспечения безопасности: комплектование бортовых систем, в том числе для крылатых ракет, наземных вычислительных комплексов систем вооружений. Были освоены в производстве более 200 типов интегральных схем, необходимых для создания оборонной техники, которые выпускались ранее за пределами РФ.

  • Руководитель приоритетного технологического направления России «Электронные технологии» (указ Президента РФ № 347 от 20 июля 2016 г.).
  • Председатель научного Совета РАН «Квантовые технологии».
  • Председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».
  • Председатель научного Совета приоритетного технологического направления «Электронные технологии» при НТС ВПК.
  • Заведующий кафедрой «Микро- и наноэлектроника» Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики в Национальном исследовательском университете «МФТИ».
  • Заведующий кафедрой «Субмикронные технологии СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ».
  • Почетный президент международной научной конференции «Микроэлектроника-ЭКБ» (ежегодный международный форум «Микроэлектроника»).
  • Сопредседатель международной научной конференции «Микро и наноэлектроника» (TheInternational Conference “Microand Nanoelectronics” ICMNE).
  • Член Совета директоров Глобального альянса производителей полупроводников (Global Semiconductor Alliance).
  • Награды и премии

  • Лауреат Государственной премии Российской Федерации, 2014.
  • Лауреат трёх премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники: 1999, 2009, 2019.
  • Медаль ООН по вопросам образования, науки и культуры (ЮНЕСКО) «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий», 2016.
  • Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени, 2008.
  • Орден Александра Невского, 2018.
  • Орден Почёта, 1999.
  • Орден Дружбы, 2014.
  • Медаль «В память 850-летия Москвы», 1997.

  • Место работы и должность

    ФГБУ «Российская академия наук», президент.

    АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», генеральный директор.