Академия

Устинов Виктор Михайлович

Устинов Виктор Михайлович
член-корреспондент РАН

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Профиль

Специалист в области физики и технологии полупроводниковых гетероструктур.

Родился 1 июля 1958 года в Ленинграде. 
Умер 26 сентября 2024 года.

В 1981 г. окончил Факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова (Ленина), затем занимался научной деятельностью в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) АН СССР – затем РАН (г. Санкт-Петербург). 

В 1986 г. защитил кандидатскую диссертацию «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии», в 1999 г. защитил докторскую диссертацию «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)». 

В 2006 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук РАН 
Член-корреспондент РАН c 25.05.2006 – Отделение физических наук РАН (специальность – «физика»).

Сфера научной деятельности

Разработка технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками.

Исследование физических свойств полупроводниковых гетероструктур с квантово-размерными эффектами.

Разработка технологии синтеза и исследование свойств полупроводниковых гетероструктур для приборов СВЧ электроники.

С 1999 г. являлся ведущим научным сотрудником Лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, а с 2004 г. по 2008 г. – заместителем председателя по науке Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН.

Являлся членом Учёных советов ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, докторского диссертационного совета при Институте аналитического приборостроения РАН, главным редактором «Журнала технической физики», директором ФГБУН «Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН».

Являлся профессором Кафедры физики и технологии наноструктур Академического физико-технологического университета РАН. 

Под его руководством защищено 4 кандидатских диссертации. Автор и соавтор более 500 научных работ, из них 1 монографии и 2 патентов РФ.

Премии и награды

Государственная премия РФ.